GPAS1006 MNG
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| Numero parte | GPAS1006 MNG |
| PNEDA Part # | GPAS1006-MNG |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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GPAS1006 MNG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GPAS1006 MNG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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GPAS1006 MNG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1100V Capacità @ Vr, F 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 420mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore SMB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 350mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 10ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 10V Capacità @ Vr, F 50pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 3.1V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-247-2 (Straight Leads) Pacchetto dispositivo fornitore DO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Torex Semiconductor Ltd Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
