GPA030A135MN-FDR
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| Numero parte | GPA030A135MN-FDR |
| PNEDA Part # | GPA030A135MN-FDR |
| Descrizione | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.856 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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GPA030A135MN-FDR Risorse
| Brand | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GPA030A135MN-FDR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
GPA030A135MN-FDR, GPA030A135MN-FDR Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 450,94 KB)
  
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GPA030A135MN-FDR Specifiche
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1350V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 329W |
| Switching Energy | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 300nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/145ns |
| Condizione di test | 600V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 450ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
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