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GMM3X60-015X2-SMDSAM

GMM3X60-015X2-SMDSAM

Solo per riferimento

Numero parte GMM3X60-015X2-SMDSAM
PNEDA Part # GMM3X60-015X2-SMDSAM
Descrizione MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.904
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GMM3X60-015X2-SMDSAM Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGMM3X60-015X2-SMDSAM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GMM3X60-015X2-SMDSAM, GMM3X60-015X2-SMDSAM Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 293,45 KB)
PDFGMM3X60-015X2-SMDSAM Datasheet Copertura
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GMM3X60-015X2-SMDSAM Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs97nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5800pF @ 25V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaISOPLUS-DIL™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL™

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Diodes Incorporated

Serie

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1184pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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-

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

502pF @ 30V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 20V

Potenza - Max

17.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.9W (Ta), 7.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

550mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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