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GDP08S120A

GDP08S120A

Solo per riferimento

Numero parte GDP08S120A
PNEDA Part # GDP08S120A
Descrizione DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2
Produttore Global Power Technologies Group
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.472
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GDP08S120A Risorse

Brand Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGDP08S120A
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
GDP08S120A, GDP08S120A Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 581,37 KB)
PDFGDP08S120A Datasheet Copertura
GDP08S120A Datasheet Pagina 2 GDP08S120A Datasheet Pagina 3

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GDP08S120A Specifiche

ProduttoreGlobal Power Technologies Group
SerieAmp+™
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 8A
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F477pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 135°C

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

PMDTM

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SS16E-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMAE

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CMPD914 BK

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

FFSH2065A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

1085pF @ 1V, 100kHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CFRMT104-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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