GD25LE64CLIGR
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| Numero parte | GD25LE64CLIGR |
| PNEDA Part # | GD25LE64CLIGR |
| Descrizione | NOR FLASH |
| Produttore | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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GD25LE64CLIGR Risorse
| Brand | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GD25LE64CLIGR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
GD25LE64CLIGR, GD25LE64CLIGR Datasheet
(Totale pagine: 28, Dimensioni: 4.295,75 KB)
  
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GD25LE64CLIGR Specifiche
| Produttore | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
| Frequenza di clock | 133MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 2.4ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.65V ~ 2V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 21-XFBGA, WLSCP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 21-WLCSP |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM Dimensione della memoria 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
