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G3SBA20L-M3/51

G3SBA20L-M3/51

Solo per riferimento

Numero parte G3SBA20L-M3/51
PNEDA Part # G3SBA20L-M3-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

G3SBA20L-M3/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteG3SBA20L-M3/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
G3SBA20L-M3/51, G3SBA20L-M3/51 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 85 KB)
PDFG3SBA60L-M3/51 Datasheet Copertura
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  • G3SBA20L-M3/51 Distributor

G3SBA20L-M3/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)2.3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 2A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 200V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitoreGBU

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

7.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

UGB-3

Pacchetto dispositivo fornitore

UGB-3

DBL206G C1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

DBL

M3P100A-160

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

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Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.6kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 100A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 1600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-SMD Module

Pacchetto dispositivo fornitore

5-SMD

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

18A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 55A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 1200V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

QC Terminal

Pacchetto / Custodia

5-Square, FO-B

Pacchetto dispositivo fornitore

FO-B

KBP107G C2

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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