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FZ800R33KL2CNOSA1

FZ800R33KL2CNOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FZ800R33KL2CNOSA1
PNEDA Part # FZ800R33KL2CNOSA1
Descrizione IGBT MODULE 3300V IHV 130MM
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.588
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ800R33KL2CNOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ800R33KL2CNOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ800R33KL2CNOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3300V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1500A
Potenza - Max9800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.65V @ 15V, 800A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce97nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Potenza - Max

160W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT600U170D4G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1100A

Potenza - Max

2900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

51nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D4

Pacchetto dispositivo fornitore

D4

BSM75GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF900R12IP4BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePack™2

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900A

Potenza - Max

5100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

43A

Potenza - Max

150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2.1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64TBGA

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CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD

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