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FW907-TL-E

FW907-TL-E

Solo per riferimento

Numero parte FW907-TL-E
PNEDA Part # FW907-TL-E
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.408
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FW907-TL-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFW907-TL-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FW907-TL-E, FW907-TL-E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 433,43 KB)
PDFFW907-TL-E Datasheet Copertura
FW907-TL-E Datasheet Pagina 2 FW907-TL-E Datasheet Pagina 3 FW907-TL-E Datasheet Pagina 4 FW907-TL-E Datasheet Pagina 5 FW907-TL-E Datasheet Pagina 6

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FW907-TL-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 10V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V, 20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V, 1300pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP (5x6)

SI1026X-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-6

SI4564DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A, 9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

855pF @ 20V

Potenza - Max

3.1W, 3.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Serie

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

208A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

781W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 10V

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Temperatura di esercizio

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