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FT24C128A-UTG-B

FT24C128A-UTG-B

Solo per riferimento

Numero parte FT24C128A-UTG-B
PNEDA Part # FT24C128A-UTG-B
Descrizione IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8TSSOP
Produttore Fremont Micro Devices Ltd
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FT24C128A-UTG-B Risorse

Brand Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFT24C128A-UTG-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
FT24C128A-UTG-B, FT24C128A-UTG-B Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 873,68 KB)
PDFFT24C128A-UTG-T Datasheet Copertura
FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 2 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 3 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 4 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 5 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 6 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 7 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 8 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 9 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 10 FT24C128A-UTG-T Datasheet Pagina 11

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FT24C128A-UTG-B Specifiche

ProduttoreFremont Micro Devices Ltd
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria128Kb (16K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso550ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

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Temperatura di esercizio

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Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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216-FBGA (12x12)

CY7C1663KV18-550BZXC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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