FS75R12KT3BOSA1
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| Numero parte | FS75R12KT3BOSA1 |
| PNEDA Part # | FS75R12KT3BOSA1 |
| Descrizione | MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.922 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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FS75R12KT3BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FS75R12KT3BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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FS75R12KT3BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 105A |
| Potenza - Max | 355W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.3nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT PT, Trench Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 580A Potenza - Max 1136W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max) 150µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Dual INT-A-PAK (3 + 8) Pacchetto dispositivo fornitore Dual INT-A-PAK |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 420A Potenza - Max 2100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 19nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore D3 |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT Trench Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 180A Potenza - Max 652W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 12.8nF @ 30V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore INT-A-PAK |
