FS150R07N3E4B11BOSA1
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Numero parte | FS150R07N3E4B11BOSA1 |
PNEDA Part # | FS150R07N3E4B11BOSA1 |
Descrizione | IGBT MODULE VCES 650V 150A |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.340 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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FS150R07N3E4B11BOSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FS150R07N3E4B11BOSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
Datasheet |
FS150R07N3E4B11BOSA1, FS150R07N3E4B11BOSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 711,64 KB)
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FS150R07N3E4B11BOSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 430W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 150A |
Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Input | Standard |
Termistore NTC | Yes |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / Custodia | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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