FR30D02
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| Numero parte | FR30D02 |
| PNEDA Part # | FR30D02 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 30A DO5 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.760 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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FR30D02 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FR30D02 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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FR30D02 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
