FQD12N20TM_F080
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Numero parte | FQD12N20TM_F080 |
PNEDA Part # | FQD12N20TM_F080 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.974 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQD12N20TM_F080 Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQD12N20TM_F080 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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FQD12N20TM_F080 Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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