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FMP76-01T

FMP76-01T

Solo per riferimento

Numero parte FMP76-01T
PNEDA Part # FMP76-01T
Descrizione MOSFET N/P-CH
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FMP76-01T Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFMP76-01T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FMP76-01T, FMP76-01T Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 106,91 KB)
PDFFMP76-01T Datasheet Copertura
FMP76-01T Datasheet Pagina 2 FMP76-01T Datasheet Pagina 3 FMP76-01T Datasheet Pagina 4

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FMP76-01T Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C54A (Tc), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs197nC @ 10V, 104nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
Potenza - Max89W, 132W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUSi5-Pak™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC™

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Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

SI1026X-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-6

US6K2TR

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cree/Wolfspeed

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

423A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1025nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 600V

Potenza - Max

1660W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Potenza - Max

325mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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