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FMM22-05PF

FMM22-05PF

Solo per riferimento

Numero parte FMM22-05PF
PNEDA Part # FMM22-05PF
Descrizione MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.200
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FMM22-05PF Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFMM22-05PF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FMM22-05PF, FMM22-05PF Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 95,87 KB)
PDFFMM22-05PF Datasheet Copertura
FMM22-05PF Datasheet Pagina 2

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FMM22-05PF Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™, PolarHT™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2630pF @ 25V
Potenza - Max132W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodiai4-Pac™-5
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC™

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Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

104A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 20V

Potenza - Max

15.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Infineon Technologies

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V, 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 25V

Potenza - Max

69W, 96W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta), 3.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

574pF @ 20V, 587pF @ 20V

Potenza - Max

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

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