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FGH50T65UPD

FGH50T65UPD

Solo per riferimento

Numero parte FGH50T65UPD
PNEDA Part # FGH50T65UPD
Descrizione IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $41,4751
100 ---------- $39,5309
250 ---------- $37,5868
500 ---------- $35,6426
750 ---------- $34,0225
1.000 ---------- $32,4024
Disponibile 4.081
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGH50T65UPD Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGH50T65UPD
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGH50T65UPD, FGH50T65UPD Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 960,57 KB)
PDFFGH50T65UPD Datasheet Copertura
FGH50T65UPD Datasheet Pagina 2 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 3 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 4 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 5 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 6 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 7 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 8 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 9 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 10 FGH50T65UPD Datasheet Pagina 11

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FGH50T65UPD Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Potenza - Max340W
Switching Energy2.7mJ (on), 740µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge230nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C32ns/160ns
Condizione di test400V, 50A, 6Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)53ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

APT40GR120S

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

88A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/163ns

Condizione di test

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

IRG4IBC30UDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

17A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

380µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/91ns

Condizione di test

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

APT15GN120BDQ1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Potenza - Max

195W

Switching Energy

410µJ (on), 950µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

90nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

10ns/150ns

Condizione di test

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

FGH40T65UPD

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

1.59mJ (on), 580µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

177nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/144ns

Condizione di test

400V, 40A, 7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

43ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG4BC10SD-SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

76ns/815ns

Condizione di test

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Venduto di recente

MT41K256M16HA-125 IT:E

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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TVS DIODE 5V SOD882

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IC SWITCH QUAD 1X2 14DHVQFN

PZT3906

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TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

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HX1188NL

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IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8SOIC

DLW5BTN101SQ2L

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MT40A256M16GE-083E IT:B

MT40A256M16GE-083E IT:B

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