FGD3N60LSDTM
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| Numero parte | FGD3N60LSDTM |
| PNEDA Part # | FGD3N60LSDTM |
| Descrizione | IGBT 600V 6A 40W DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.578 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGD3N60LSDTM Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGD3N60LSDTM |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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FGD3N60LSDTM Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 6A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 25A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
| Potenza - Max | 40W |
| Switching Energy | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 12.5nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 40ns/600ns |
| Condizione di test | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 234ns |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 16A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 9A Potenza - Max 60W Switching Energy 100µJ (on), 120µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 21ns/86ns Condizione di test 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
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