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FGB5N60UNDF

FGB5N60UNDF

Solo per riferimento

Numero parte FGB5N60UNDF
PNEDA Part # FGB5N60UNDF
Descrizione IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.032
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGB5N60UNDF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGB5N60UNDF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGB5N60UNDF, FGB5N60UNDF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 462,27 KB)
PDFFGB5N60UNDF Datasheet Copertura
FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 2 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 3 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 4 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 5 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 6 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 7 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 8 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 9 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 10 FGB5N60UNDF Datasheet Pagina 11

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FGB5N60UNDF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)15A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 5A
Potenza - Max73.5W
Switching Energy80µJ (on), 70µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge12.1nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C5.4ns/25.4ns
Condizione di test400V, 5A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB (D²PAK)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

52W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

71nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

IRGP4069-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

76A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

390µJ (on), 632µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/105ns

Condizione di test

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

IXGH20N60

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

1.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/600ns

Condizione di test

480V, 20A, 82Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

155A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

Potenza - Max

536W

Switching Energy

2500µJ (on), 2140µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

485nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

47ns/385ns

Condizione di test

400V, 75A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

STGF10H60DF

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

Potenza - Max

30W

Switching Energy

83µJ (on), 140µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

57nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19.5ns/103ns

Condizione di test

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

107ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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