FGA50N100BNTDTU
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| Numero parte | FGA50N100BNTDTU | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | FGA50N100BNTDTU | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 1000V 50A 156W TO3P | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.240 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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FGA50N100BNTDTU Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGA50N100BNTDTU |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
FGA50N100BNTDTU, FGA50N100BNTDTU Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 348,24 KB)
  
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FGA50N100BNTDTU Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT and Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1000V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Potenza - Max | 156W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 275nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Potenza - Max 250W Switching Energy 1.29mJ Tipo di ingresso Standard Gate Charge 140nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 44ns/291ns Condizione di test 400V, 30A, 11Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A Potenza - Max 167W Switching Energy 650µJ (on), 650µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 170nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 81ns/190ns Condizione di test 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 72ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
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