FGA30T65SHD
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| Numero parte | FGA30T65SHD |
| PNEDA Part # | FGA30T65SHD |
| Descrizione | IGBT 650V 60A 238W TO-3PN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.064 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGA30T65SHD Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGA30T65SHD |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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FGA30T65SHD Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 238W |
| Switching Energy | 598µJ (on), 167µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 54.7nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 14.4ns/52.8ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 31.8ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
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