FGA30N120FTDTU
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| Numero parte | FGA30N120FTDTU |
| PNEDA Part # | FGA30N120FTDTU |
| Descrizione | IGBT 1200V 60A 339W TO3P |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.252 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGA30N120FTDTU Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGA30N120FTDTU |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
FGA30N120FTDTU, FGA30N120FTDTU Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 528,68 KB)
  
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FGA30N120FTDTU Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 339W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 208nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 730ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
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