FFSH1065B-F085
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| Numero parte | FFSH1065B-F085 |
| PNEDA Part # | FFSH1065B-F085 |
| Descrizione | 650V 10A SIC SBD GEN1.5 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.448 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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FFSH1065B-F085 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FFSH1065B-F085 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
FFSH1065B-F085, FFSH1065B-F085 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 295,46 KB)
  
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FFSH1065B-F085 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 11.5A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 421pF @ 1V, 100kHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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