FF8MR12W2M1B11BOMA1
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| Numero parte | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| PNEDA Part # | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| Descrizione | MOSFET MODULE 1200V 150A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.560 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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FF8MR12W2M1B11BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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FF8MR12W2M1B11BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 60mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 372nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-EASY2BM-2 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie AlphaMOS Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 15V Potenza - Max 1.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Potenza - Max 300mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V Potenza - Max 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 10V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 |
