FF1000R17IE4DB2S4BOSA2
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| Numero parte | FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 |
| PNEDA Part # | FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 |
| Descrizione | MOD IGBT 1700V PRIME3-1 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.480 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | PrimePACK™3 |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | 2 Independent |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1700V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 1390A |
| Potenza - Max | 6250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-PRIME3-1 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 200A Potenza - Max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max) 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
