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FDW2508PB

FDW2508PB

Solo per riferimento

Numero parte FDW2508PB
PNEDA Part # FDW2508PB
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDW2508PB Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDW2508PB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDW2508PB, FDW2508PB Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 545,92 KB)
PDFFDW2508PB Datasheet Copertura
FDW2508PB Datasheet Pagina 2 FDW2508PB Datasheet Pagina 3 FDW2508PB Datasheet Pagina 4 FDW2508PB Datasheet Pagina 5 FDW2508PB Datasheet Pagina 6

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FDW2508PB Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3775pF @ 6V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT8

DMN3013LDG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Potenza - Max

2.16W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8 (Type D)

SIA778DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 6V

Potenza - Max

6.5W, 5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SQJB70EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 25V

Potenza - Max

27W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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DMHC6070LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

731pF @ 20V

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1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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