FDT1600N10ALZ
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| Numero parte | FDT1600N10ALZ |
| PNEDA Part # | FDT1600N10ALZ |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V SOT-223-4 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.308 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDT1600N10ALZ Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDT1600N10ALZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FDT1600N10ALZ, FDT1600N10ALZ Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 853,73 KB)
  
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FDT1600N10ALZ Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.77nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 10.42W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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