FDP027N08B-F102
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| Numero parte | FDP027N08B-F102 |
| PNEDA Part # | FDP027N08B-F102 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.722 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDP027N08B-F102 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDP027N08B-F102 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FDP027N08B-F102, FDP027N08B-F102 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 870,89 KB)
  
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FDP027N08B-F102 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 246W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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