FDMS3624S
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| Numero parte | FDMS3624S |
| PNEDA Part # | FDMS3624S |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.578 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMS3624S Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS3624S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMS3624S Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17.5A, 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 13V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.3A, 17.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V Potenza - Max 1.1W, 1.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA, 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 25V, 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 26.2pF @ 10V Potenza - Max 1.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V Potenza - Max 50W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) |
