FDMC86259P
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| Numero parte | FDMC86259P |
| PNEDA Part # | FDMC86259P |
| Descrizione | MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.924 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMC86259P Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMC86259P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FDMC86259P Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta), 13A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2045pF @ 75V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 62W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power33 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 15W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 2-HWSON (5x4) Pacchetto / Custodia 3-DFN Exposed Pad |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.5A (Ta), 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 15V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V Vgs (massimo) +2V, -15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 791mW (Ta) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore ON Semiconductor Serie UniFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 265mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2860pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 38.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
