FDFMA2P029Z-F106
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| Numero parte | FDFMA2P029Z-F106 |
| PNEDA Part # | FDFMA2P029Z-F106 |
| Descrizione | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.932 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDFMA2P029Z-F106 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDFMA2P029Z-F106 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FDFMA2P029Z-F106, FDFMA2P029Z-F106 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 489,01 KB)
  
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FDFMA2P029Z-F106 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 10V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
| Pacchetto / Custodia | 6-VDFN Exposed Pad |
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