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FDD6N25TF

FDD6N25TF

Solo per riferimento

Numero parte FDD6N25TF
PNEDA Part # FDD6N25TF
Descrizione MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 2.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDD6N25TF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDD6N25TF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDD6N25TF, FDD6N25TF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 713,44 KB)
PDFFDD6N25TF Datasheet Copertura
FDD6N25TF Datasheet Pagina 2 FDD6N25TF Datasheet Pagina 3 FDD6N25TF Datasheet Pagina 4 FDD6N25TF Datasheet Pagina 5 FDD6N25TF Datasheet Pagina 6 FDD6N25TF Datasheet Pagina 7 FDD6N25TF Datasheet Pagina 8 FDD6N25TF Datasheet Pagina 9

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FDD6N25TF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieUniFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

APTC80DA15T1G

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

277W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Pacchetto / Custodia

SP1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7330pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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