Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FDD6530A

FDD6530A

Solo per riferimento

Numero parte FDD6530A
PNEDA Part # FDD6530A
Descrizione MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 39.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDD6530A Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDD6530A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDD6530A, FDD6530A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 153,89 KB)
PDFFDD6530A Datasheet Copertura
FDD6530A Datasheet Pagina 2 FDD6530A Datasheet Pagina 3 FDD6530A Datasheet Pagina 4 FDD6530A Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • FDD6530A Datasheet
  • where to find FDD6530A
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDD6530A
  • FDD6530A PDF Datasheet
  • FDD6530A Stock

  • FDD6530A Pinout
  • Datasheet FDD6530A
  • FDD6530A Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDD6530A Price
  • FDD6530A Distributor

FDD6530A Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

I prodotti a cui potresti essere interessato

APT10045B2LLG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

565W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

SIRA96DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

34.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2240pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

240W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STW11NM80

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Venduto di recente

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

LTST-C150TBKT

LTST-C150TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR 1206 SMD

PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

W25X40CLSSIG

W25X40CLSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

MX30LF1G18AC-XKI

MX30LF1G18AC-XKI

Macronix

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

ISL6124IRZA-T

ISL6124IRZA-T

Renesas Electronics America Inc.

IC POWER SUPPLY SEQUENCER 24QFN

PTN3363BSMP

PTN3363BSMP

NXP

IC DVI/HDMI LVL SHIFTER 32HVQFN

AD8250ARMZ-RL

AD8250ARMZ-RL

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

LTM4613IV#PBF

LTM4613IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

4608X-102-682LF

4608X-102-682LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 8SIP

1.5KE33A

1.5KE33A

ON Semiconductor

TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL