FDD1600N10ALZD
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| Numero parte | FDD1600N10ALZD |
| PNEDA Part # | FDD1600N10ALZD |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.874 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDD1600N10ALZD Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDD1600N10ALZD |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FDD1600N10ALZD, FDD1600N10ALZD Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 947,15 KB)
  
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FDD1600N10ALZD Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 14.9W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-4L |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
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