FCPF190N65S3R0L
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| Numero parte | FCPF190N65S3R0L |
| PNEDA Part # | FCPF190N65S3R0L |
| Descrizione | SUPERFET3 650V TO220F PKG |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.004 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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FCPF190N65S3R0L Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FCPF190N65S3R0L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FCPF190N65S3R0L, FCPF190N65S3R0L Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 378,73 KB)
  
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FCPF190N65S3R0L Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SuperFET® III |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 144W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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