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FCD620N60ZF

FCD620N60ZF

Solo per riferimento

Numero parte FCD620N60ZF
PNEDA Part # FCD620N60ZF
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 19.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FCD620N60ZF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFCD620N60ZF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FCD620N60ZF, FCD620N60ZF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 863,57 KB)
PDFFCD620N60ZF Datasheet Copertura
FCD620N60ZF Datasheet Pagina 2 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 3 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 4 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 5 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 6 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 7 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 8 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 9 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 10 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 11

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FCD620N60ZF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieHiPerFET™, Polar™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs620mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1135pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)89W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 15V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSM

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSM400C12P3G202

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 106.8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

+22V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17000pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1570W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Pacchetto / Custodia

Module

IRF5802TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 540mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro6™(TSOP-6)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

AOT29S50L

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1312pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

357W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5670pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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