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ESH2B M4G

ESH2B M4G

Solo per riferimento

Numero parte ESH2B M4G
PNEDA Part # ESH2B-M4G
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ESH2B M4G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteESH2B M4G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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ESH2B M4G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If900mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

135V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

870mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 135V

Capacità @ Vr, F

100pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SPD-2A

Pacchetto dispositivo fornitore

SPD-2A

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

IDH03SG60CXKSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 3A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-2-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

VS-240U60D

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

320A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.33V @ 750A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15mA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 180°C

ES2DHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

FERD30SM100DJFTR

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

ECOPACK®2

Tipo di diodo

FERD (Field Effect Rectifier Diode)

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

970mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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