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ES3G-M3/57T

ES3G-M3/57T

Solo per riferimento

Numero parte ES3G-M3/57T
PNEDA Part # ES3G-M3-57T
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.672
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ES3G-M3/57T Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteES3G-M3/57T
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
ES3G-M3/57T, ES3G-M3/57T Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 90,33 KB)
PDFES3G-M3/57T Datasheet Copertura
ES3G-M3/57T Datasheet Pagina 2 ES3G-M3/57T Datasheet Pagina 3 ES3G-M3/57T Datasheet Pagina 4 ES3G-M3/57T Datasheet Pagina 5

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ES3G-M3/57T Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

350A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30mA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

BG-PB50ND-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 135°C

ACURB203-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

MBRF1645 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

630mV @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

GUR460-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

37pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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