ES2GHE3_A/I
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| Numero parte | ES2GHE3_A/I |
| PNEDA Part # | ES2GHE3_A-I |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.048 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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ES2GHE3_A/I Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ES2GHE3_A/I |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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ES2GHE3_A/I Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 120V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 870mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 600µA @ 120V Capacità @ Vr, F 700pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DO-221BC (SMPA) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 680mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AA, DO-27, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-27 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 6.6pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia MPG06, Axial Pacchetto dispositivo fornitore MPG06 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 330mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Capacità @ Vr, F 130pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 100°C |
Produttore SMC Diode Solutions Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
