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ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Solo per riferimento

Numero parte ES2B-E3/52T
PNEDA Part # ES2B-E3-52T
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 105.162
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ES2B-E3/52T Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteES2B-E3/52T
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
ES2B-E3/52T, ES2B-E3/52T Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 84,05 KB)
PDFES2DHE3J/52T Datasheet Copertura
ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 2 ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 3 ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 4 ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 5

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ES2B-E3/52T Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If900mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F18pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/679

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

600pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

U3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

FR40BR05

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

CVFD20065A

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

57A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 20A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

80µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

1100pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CMS14(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

M-FLAT (2.4x3.8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

VS-80EBU04HF4

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

80A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 80A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

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Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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