ES1JLHRQG
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| Numero parte | ES1JLHRQG |
| PNEDA Part # | ES1JLHRQG |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.508 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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ES1JLHRQG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ES1JLHRQG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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ES1JLHRQG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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