ES1JL M2G
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Numero parte | ES1JL M2G |
PNEDA Part # | ES1JL-M2G |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.928 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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ES1JL M2G Risorse
Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | ES1JL M2G |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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ES1JL M2G Specifiche
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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