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ES1DHE3_A/I

ES1DHE3_A/I

Solo per riferimento

Numero parte ES1DHE3_A/I
PNEDA Part # ES1DHE3_A-I
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 54.480
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ES1DHE3_A/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteES1DHE3_A/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
ES1DHE3_A/I, ES1DHE3_A/I Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 80,1 KB)
PDFES1DHE3/61T Datasheet Copertura
ES1DHE3/61T Datasheet Pagina 2 ES1DHE3/61T Datasheet Pagina 3 ES1DHE3/61T Datasheet Pagina 4 ES1DHE3/61T Datasheet Pagina 5

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ES1DHE3_A/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If920mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

3pF @ 6V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G3-B

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

BAW62,143

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

ALF2

Temperatura di esercizio - Giunzione

200°C (Max)

HSM190GE3/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 90V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-215AA, SMB Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-215AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

RGP02-20E/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 2000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 200V

Capacità @ Vr, F

2.5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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