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ES1ALHMQG

ES1ALHMQG

Solo per riferimento

Numero parte ES1ALHMQG
PNEDA Part # ES1ALHMQG
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ES1ALHMQG Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteES1ALHMQG
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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ES1ALHMQG Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If950mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitoreSub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

ES1JLWHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123W

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD123W

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

MURA115T3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

S4PJHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1F3G-TP

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 40V

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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