EPC2110ENGRT
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| Numero parte | EPC2110ENGRT |
| PNEDA Part # | EPC2110ENGRT |
| Descrizione | GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 92.868 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2110ENGRT Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2110ENGRT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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EPC2110ENGRT Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
