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EPC2110

EPC2110

Solo per riferimento

Numero parte EPC2110
PNEDA Part # EPC2110
Descrizione GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Produttore EPC
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.680
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2110 Risorse

Brand EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEPC2110
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
EPC2110, EPC2110 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.445,13 KB)
PDFEPC2110 Datasheet Copertura
EPC2110 Datasheet Pagina 2 EPC2110 Datasheet Pagina 3 EPC2110 Datasheet Pagina 4 EPC2110 Datasheet Pagina 5 EPC2110 Datasheet Pagina 6 EPC2110 Datasheet Pagina 7

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EPC2110 Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FETGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 60V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5

Pacchetto dispositivo fornitore

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US6M2GTR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMT6

SP8J1TB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

FDZ1416NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFBGA, WLCSP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Potenza - Max

120mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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