EPC2106ENGRT
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| Numero parte | EPC2106ENGRT |
| PNEDA Part # | EPC2106ENGRT |
| Descrizione | GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 62.904 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2106ENGRT Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2106ENGRT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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EPC2106ENGRT Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3065pF @ 25V Potenza - Max 68W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 278A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 700nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V Potenza - Max 780W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
