Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

EPC2106

EPC2106

Solo per riferimento

Numero parte EPC2106
PNEDA Part # EPC2106
Descrizione GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
Produttore EPC
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 78.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2106 Risorse

Brand EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEPC2106
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
EPC2106, EPC2106 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.564,58 KB)
PDFEPC2106ENGRT Datasheet Copertura
EPC2106ENGRT Datasheet Pagina 2 EPC2106ENGRT Datasheet Pagina 3 EPC2106ENGRT Datasheet Pagina 4 EPC2106ENGRT Datasheet Pagina 5 EPC2106ENGRT Datasheet Pagina 6 EPC2106ENGRT Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • EPC2106 Datasheet
  • where to find EPC2106
  • EPC

  • EPC EPC2106
  • EPC2106 PDF Datasheet
  • EPC2106 Stock

  • EPC2106 Pinout
  • Datasheet EPC2106
  • EPC2106 Supplier

  • EPC Distributor
  • EPC2106 Price
  • EPC2106 Distributor

EPC2106 Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.73nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 50V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

I prodotti a cui potresti essere interessato

AO4840L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SIB911DK-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-75-6L Dual

SI6966EDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

SI4914BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A, 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.7W, 3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AOC3860

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN (3.05x1.77)

Venduto di recente

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

G8QE-1A DC12

G8QE-1A DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY AUTOMOTIVE SPST 10A 12V

S-8254AAFFT-TB-G

S-8254AAFFT-TB-G

ABLIC

IC LI-ION BATT PROTECT 16-TSSOP

M25PX16-VMW6TG TR

M25PX16-VMW6TG TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

Abracon

MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVCMOS

IRLML6302TRPBF

IRLML6302TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

AT24RF08CN-10SC

AT24RF08CN-10SC

Microchip Technology

IC EEPROM 8K I2C 100KHZ 8SOIC

AD7403BRIZ

AD7403BRIZ

Analog Devices

IC MODULATOR 16BIT 20M 16SOIC

NRVBS3200T3G

NRVBS3200T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB

IR2113STRPBF

IR2113STRPBF

Infineon Technologies

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC