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EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Solo per riferimento

Numero parte EPC2105ENGRT
PNEDA Part # EPC2105ENGRT
Descrizione GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Produttore EPC
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.076
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2105ENGRT Risorse

Brand EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEPC2105ENGRT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
EPC2105ENGRT, EPC2105ENGRT Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 2.210,08 KB)
PDFEPC2105ENG Datasheet Copertura
EPC2105ENG Datasheet Pagina 2 EPC2105ENG Datasheet Pagina 3 EPC2105ENG Datasheet Pagina 4 EPC2105ENG Datasheet Pagina 5 EPC2105ENG Datasheet Pagina 6 EPC2105ENG Datasheet Pagina 7 EPC2105ENG Datasheet Pagina 8 EPC2105ENG Datasheet Pagina 9

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EPC2105ENGRT Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 40V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 35A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 15V

Potenza - Max

27W, 48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

6-PowerPair™

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 15mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2788pF @ 1000V

Potenza - Max

375W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 20V

Potenza - Max

3.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Serie

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Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

340A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 250A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

450nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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-40°C ~ 175°C (TJ)

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