EPC2012C
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| Numero parte | EPC2012C | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | EPC2012C | ||||||||||||||||||
| Descrizione | GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE | ||||||||||||||||||
| Produttore | EPC | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.650 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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EPC2012C Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2012C |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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EPC2012C Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | +6V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die Outline (4-Solder Bar) |
| Pacchetto / Custodia | Die |
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