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EM68A16CBQC-25IH

EM68A16CBQC-25IH

Solo per riferimento

Numero parte EM68A16CBQC-25IH
PNEDA Part # EM68A16CBQC-25IH
Descrizione 256MB 16MX16 DDR2
Produttore Etron Technology, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.300
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EM68A16CBQC-25IH Risorse

Brand Etron Technology, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEM68A16CBQC-25IH
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
EM68A16CBQC-25IH, EM68A16CBQC-25IH Datasheet (Totale pagine: 61, Dimensioni: 1.018,4 KB)
PDFEM68A16CBQC-25IH Datasheet Copertura
EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 2 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 3 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 4 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 5 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 6 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 7 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 8 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 9 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 10 EM68A16CBQC-25IH Datasheet Pagina 11

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EM68A16CBQC-25IH Specifiche

ProduttoreEtron Technology, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso400ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-FBGA (8x12.5)

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Volatile

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Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

134-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

134-TFBGA (10x11.5)

AT93C66-10SC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS42S16100E-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

50-TSOP II

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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